반도체실험
| 담당교수 | 연락처 | 실험실 홈페이지 |
|---|---|---|
| 오병성 | 042-821-7464 | - |
반도체 실험실에서는 (In)GaN 및 II-VI 화합물 반도체의 박막 및 양자 구조를 성장하고 그 특성 분석과 태양전지용 Si 잉곳 및 웨이퍼의 특성 분석등을 주로 다루고 있다. 화합물 반도체는 주로 발광 소자 및 태양 전지로 이용할 수 있으며 태양 전지에 대한 관심이 나날이 증가하고 있다.
가. 반도체 박막 및 양자 구조 성장 : metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) 방법으로 sapphire 기판 위에 (In)GaN 박막 또는 InGaN 양자 우물이나 양자점 등의 양자 구조를 성장한다. 또 목원대학교와 협력하여 hot-wall epitaxy (HWE) 방법으로 CdZnSSe의 II-VI 족 화합물 반도체의 박막도 성장한다.
나. 반도체 박막 및 양자 구조의 특성 분석 : 간섭현미경, atomic force microscopy, x-ray diffraction 등으로 표면 또는 구조를 분석하고 spectrophotometer를 사용하여 투과 및 흡수, photoluminescence, Raman scattering 등의 방법으로 광학적 특성을 측정하며 Hall 효과 측정으로 전기적 특성 등을 규명한다.
다. Si 잉곳 및 웨이퍼 특성 평가 : 가장 대표적인 반도체인 Si의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 측정하는 방법을 연구하고 또 그 특성을 평가하여 태양전지로 활용할 수 있도록 한다.
라. 태양전지 : 연구 단지 내 태양전지핵심기술센터와 공동으로 태양전지 제조 및 설치에 대한 교육 및 연구를 계속하고 있다.
마. 졸업 후 반도체 관련 업종에 취업하고 있다: 반도체 장비 회사, LED 제조회사, 태양전지 관련 회사
